[发明专利]一种负磁导率超材料及MRI磁信号增强器件有效
| 申请号： | 201210110055.9 | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102683872A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;栾琳;郭洁;余铨强 | 申请（专利权）人： | 深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00;A61B5/055 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518034 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种负磁导率超材料及MRI磁信号增强器件，负磁导率超材料包括至少一层具有负磁导率的超材料层，超材料层包括基板以及周期性阵列排布在基板两侧的多个第一人造微结构和第二人造微结构，第一人造微结构由四个呈环形阵列的第一人造微结构单元组成，第二人造微结构由四个呈环形阵列的第二人造微结构单元组成，第一人造微结构单元和第二人造微结构单元是开口在一角的开口谐振环结构，第二人造微结构单元的位置与第一人造微结构单元一一对应，第二人造微结构单元的形状为第一人造微结构单元的形状绕环形阵列的几何中心旋转180度得到的形状。本发明能有效降低超材料的谐振频率。另外，本发明MRI磁信号增强器件中具有较大应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁导率 材料 mri 信号 增强 器件 | ||
【主权项】：
一种负磁导率超材料，包括至少一层具有负磁导率的超材料层，所述超材料层包括基板以及周期性阵列排布在基板两侧的多个第一人造微结构和第二人造微结构，其特征在于，所述第一人造微结构由四个呈环形阵列的第一人造微结构单元组成，所述第二人造微结构由四个呈环形阵列的第二人造微结构单元组成，所述第一人造微结构单元和第二人造微结构单元是开口在一角的开口谐振环结构，所述第二人造微结构单元的位置与第一人造微结构单元一一对应，所述第二人造微结构单元的形状为所述第一人造微结构单元的形状绕所述环形阵列的几何中心旋转180度得到的形状。
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