[发明专利]一种超长工作距表面等离子体超衍射光刻装置及方法无效
| 申请号： | 201210107682.7 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102621821A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 罗先刚;冯沁;王长涛;赵泽宇;王彦钦;杨欢;黄成;杨磊磊;陶兴;姚纳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 杨学明;顾炜 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开一种超长工作距表面等离子体超衍射光刻装置及方法，该装置包括以下结构，光学棱镜，光学棱镜底面沉积的是一层金属薄膜，金属薄膜下沉积了一层光电转换材料膜层，光学棱镜放置在涂敷有电子光刻胶的光学基片表面上方。该方法采用表面等离子体干涉形成纳米特征尺寸的光场分布，利用光电转换材料，表面等离子体干涉光场转换为低能电子辐射信号，经过磁场和电场的加速和聚焦，电子聚焦投影在光刻胶上实现纳米分辨力光刻。本发明可以有效延伸表面等离子体超衍射干涉光刻所需的工作距。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超长 工作 表面 等离子体 衍射 光刻 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种超长工作距表面等离子体超衍射光刻装置，其特征在于：该装置包括：石英棱镜(2)、金属薄膜(3)、光电转换材料膜层(4)、产生聚焦磁场的线圈(5)、加载加速电场的金属电极(6)、光刻基片(7)和光刻胶膜层(8)，其中，紧靠石英棱镜(2)的底面依次为10‑40nm厚度的金属薄膜(3)和10‑50nm厚度的光电转换材料膜层(4)，石英棱镜(2)放置在涂敷有电子光刻胶(8)的光学基片(7)表面上方，石英棱镜(2)与光学基片(7)之间为真空环境，并分布有均匀的恒电场和恒磁场，所述的恒电场由金属薄膜(3)上带的负电荷和加载加速电场的金属电极(6)上带的正电荷共同产生，同时金属薄膜(3)可以实现表面等离子体波干涉，所述的恒磁场由产生聚焦磁场的线圈(5)产生。
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