[发明专利]基于光刻胶隔膜的微型超级电容及其制作方法无效
| 申请号： | 201210098119.8 | 申请日： | 2012-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN102623184A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 王晓红;邢贺新 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01G9/004 | 分类号： | H01G9/004;H01G9/02;H01G9/04 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 朱琨 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了属于微能源和微机械加工领域的基于光刻胶隔膜的微型超级电容及其制作方法。基于光刻胶隔膜的微型超级电容的结构如下：在水平方向上呈间隔排列的复合层位于器件衬底上方，相邻的复合层之间存在光刻胶隔膜；复合层的结构如下：金属电流收集层和电极材料依次安装在器件衬底上；电极材料在水平方向上形成插指型电极结构。基于光刻胶隔膜的微型超级电容的制作方法中使用光刻胶隔膜作为相邻两个电极之间的绝缘材料。本发明的有益效果为：其一方面在于可向三维扩展尤其是向垂直于器件衬底方向的第三维方向扩展，另一方面相邻的电极材料之间的间距可通过微加工工艺缩小，进而减小微型超级电容的内阻。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 光刻 隔膜 微型 超级 电容 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
基于光刻胶隔膜的微型超级电容，其特征在于，它的结构如下：在水平方向上呈间隔排列的复合层(5)位于器件衬底(1)上方，相邻的复合层(5)之间存在光刻胶隔膜(4)；复合层(5)的结构如下：金属电流收集层(3)和电极材料(2)依次安装在器件衬底(1)上；电极材料(2)在水平方向上形成插指型电极结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210098119.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
