[发明专利]基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法有效
| 申请号： | 201210057292.3 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102570305A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 周旭亮;于红艳;潘教青;赵玲娟;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法，包括以下步骤：采用UHVCVD方法在衬底上生长第一缓冲层；将生长有第一缓冲层的衬底，放入MOCVD反应室并进行700℃高温处理；在第一缓冲层上外延第二缓冲层；在第二缓冲层上生长赝GaAs层；在赝GaAs层上生长850nm激光器结构，该850nm激光器结构包括依次生长的Al0.5Ga0.5As下包层、Al0.3Ga0.7As下波导、InGaAs有源区、Al0.3Ga0.7As上波导层、Al0.5Ga0.5As上包层和赝GaAs接触层；在850nm激光器结构上面的赝GaAs接触层上刻蚀，形成脊条；在外延片的上表面及脊条的侧面生成二氧化硅绝缘层；在脊条的上面制作电极窗口；在二氧化硅绝缘层及电极窗口上制作钛铂金电极，减薄后，在衬底的背面制作金锗镍电极，完成激光器的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 硅基赝砷化镓 衬底 850 nm 激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：采用UHVCVD方法在衬底上生长第一缓冲层；步骤2：将生长有第一缓冲层的衬底，立即放入MOCVD反应室并进行700℃高温处理；步骤3：采用低压MOCVD的方法，在第一缓冲层上外延第二缓冲层；步骤4：在第二缓冲层上生长赝GaAs层；步骤5：采用MOCVD的方法，在赝GaAs层上生长850nm激光器结构，该850nm激光器结构包括依次生长的Al0.5Ga0.5As下包层、Al0.3Ga0.7As下波导、InGaAs有源区、Al0.3Ga0.7As上波导层、Al0.5Ga0.5As上包层和赝GaAs接触层；步骤6：在850nm激光器结构上面的赝GaAs接触层上刻蚀，形成脊条；步骤7：在外延片的上表面及脊条的侧面生成二氧化硅绝缘层；步骤8：在脊条的上面制作电极窗口；步骤9：在二氧化硅绝缘层及电极窗口上制作钛铂金电极，减薄后，在衬底的背面制作金锗镍电极，完成激光器的制备。
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