[发明专利]一种介质狭缝光波导

摘要

本发明公开了一种介质狭缝光波导，该波导结构的横截面包括基底层(1)、位于基底层上的从下到上依次排列的高折射率缓冲层(2)、高折射率介质层(3)、低折射率介质层(4)、位于低折射率介质层上从左到右依次排列的高折射率介质区(5)、低折射率介质区(6)和高折射率介质区(7)、以及包层(8)。该波导可以同时对两种偏振的光实现较强的模场限制，此外还可通过结构尺寸的调控实现正、负双折射或零双折射等多种特性。所提介质狭缝波导与现有的硅基加工工艺相匹配，可用于实现多种光子器件。

主权项

一种介质狭缝光波导结构，其横截面包括基底层、位于基底层上的从下到上依次排列的高折射率缓冲层、高折射率介质层、低折射率介质层、位于低折射率介质层上从左到右依次排列的高折射率介质区、低折射率介质区和高折射率介质区、以及包层；所述结构中高折射率介质层上表面的宽度与低折射率介质层下表面的宽度相等；位于低折射率介质层上的高折射率介质区、低折射率介质区和高折射率介质区共同构成的区域的下表面的宽度与低折射率介质层上表面的宽度相等；高折射率缓冲层的高度为所传输光信号的波长的0.006‑0.06倍；高折射率介质层的上、下表面的宽度为所传输光信号的波长的0.1‑0.3倍，高折射率介质层的高度为所传输光信号的波长的0.03‑0.1倍；低折射率介质层的高度为所传输光信号的波长的0.006‑0.06倍，低折射率介质层的上、下表面的宽度为所传输光信号的波长的0.1‑0.3倍；位于低折射率介质层上的两个高折射率介质区和低折射率介质区的高度相等，且其高度为所传输光信号的波长的0.07‑0.22倍，低折射率介质区和高折射率介质区共同构成的区域的上、下表面的宽度为所传输光信号的波长的0.1‑0.3倍；低折射率介质区的上、下表面的宽度为所传输光信号的波长的0.006‑0.06倍，且小于低折射率介质层的宽度；位于基底层上的高折射率缓冲层、高折射率介质层以及两个高折射率介质区的材料为相同或不同材料，且四者的材料折射率均高于基底层、低折射率介质层以及包层的材料折射率，基底层、低折射率介质层和包层的材料为相同材料或不同材料，基底层、低折射率介质层和包层的材料折射率的最大值与高折射率缓冲层、高折射率介质层以及两个高折射率介质区的材料折射率的最小值的比值小于0.75。