[发明专利]一种表面等离子激元狭缝光波导有效

专利信息
申请号: 201210055918.7 申请日: 2012-03-05
公开(公告)号: CN102590939A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 郑铮;卞宇生;赵欣;刘磊;苏亚林;刘建胜 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122;G02B6/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种表面等离子激元狭缝光波导结构,该波导结构的横截面包括“V”字形金属基底(1)、介质层(2)、嵌于介质层的金属区域(3)和包层(4)。金属基底和金属区域之间的狭缝可以对传输光实现很强的模场限制,为超高集成度光波导芯片的实现提供可能。
搜索关键词: 一种 表面 等离子 狭缝 波导
【主权项】:
一种能实现强模场限制的表面等离子激元狭缝光波导结构,其横截面从下到上依次为金属基底、介质区域、嵌于介质区域中的金属区域以及包层;金属基底在与介质区域相接的区域的外轮廓呈“V”字形,且金属基底“V”字形区域的高度范围为所传输光信号的波长的0.12‑0.65倍,金属基底“V”字形区域中心的外顶角的角度大于5度且小于180度;介质区域上表面和两侧均与金属基底相接,其上表面与包层相接,介质区域底部中心的内顶角与金属基底“V”字形区域中心的外顶角相等;嵌于介质区域中的金属区域与金属基底不相接触,金属区域的最大宽度为所传输光信号的波长的0.01‑2倍,且小于介质区域的最大宽度,金属区域的最大高度为所传输光信号的波长的0.1‑0.6倍,且小于介质区域的最大高度;金属基底和金属区域为相同材料或不同材料;介质区域和包层为相同材料或不同材料。
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