[发明专利]一种负磁导率超材料有效
| 申请号： | 201210050347.8 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN102593593A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;赵治亚;郭洁;余铨强 | 申请（专利权）人： | 深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518034 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种负磁导率超材料，超材料包括三层介质基板以及分别固定在三层介质基板两侧的四层人造微结构层，第一人造微结构层与第二人造微结构层人造微结构分别通过多个第一金属过孔连接，第三人造微结构层与第四人造微结构层人造微结构分别通过多个第二金属过孔连接，上述人造微结构均为阿基米德金属螺线。在超材料人造微结构尺寸相同的条件下，采用本发明可以大大降低超材料的谐振频率，同时，本发明超材料能在其工作频段上实现磁导率为-1，对于超材料产业的发展具有重要意义，具有良好的开发与应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁导率 材料 | ||
【主权项】：
一种负磁导率超材料，其特征在于，所述超材料包括第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板以及固定在第一介质基板两侧的第一人造微结构层和第二人造微结构层、固定在第三介质基板两侧的第三人造微结构层和第四人造微结构层，所述第二人造微结构层与所述第三人造微结构层中间固定有所述第二介质基板，所述第一人造微结构层、第二人造微结构层、第三人造微结构层、第四人造微结构层均由多个阵列排布的人造微结构组成，所述第一人造微结构层的多个人造微结构与所述第二人造微结构层的多个人造微结构分别通过多个第一金属过孔连接，所述第三人造微结构层的多个人造微结构与所述第四人造微结构层的多个人造微结构分别通过多个第二金属过孔连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳光启创新技术有限公司，未经深圳光启创新技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210050347.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
