[发明专利]具备电压生成电路的半导体装置有效

专利信息
申请号: 201210044224.3 申请日: 2012-02-17
公开(公告)号: CN102645947B 公开(公告)日: 2016-11-23
发明(设计)人: 木下拓;吉村晋亮;铃木彰;大泉晶;小林聪一 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 何欣亭;王忠忠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的半导体装置具备电压生成电路、第1开关以及充电电路。电压生成电路具有生成并输出电压、且调整生成的电压的大小的功能。第1开关具有在接通状态时互相导通的第1及第2导通端子,第1导通端子经由第1布线与电压生成电路的输出节点连接。充电电路对与第1开关的第2导通端子连接的第2布线进行充电。
搜索关键词: 具备 电压 生成 电路 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,具备:电压生成电路,具有生成并输出电压、且调整所述生成的电压的大小的功能;第1开关,具有在断开状态时互相不导通的第1及第2导通端子,所述第1导通端子经由第1布线与所述电压生成电路的输出节点连接;以及第2开关,具有在接通状态时互相导通的第3及第4导通端子,所述第3导通端子经由第2布线与所述第2导通端子连接,充电电路,与所述第4导通端子连接,用于对所述第2布线充电,所述第1开关处于断开状态且所述第2开关处于接通状态时,所述第2布线利用所述充电电路充电。
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