[发明专利]发光模块、电子装置及光强度改变方法无效
| 申请号： | 201210030597.5 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102606911A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 林育政;洪聪永 | 申请（专利权）人： | 上海向隆电子科技有限公司 |
| 主分类号： | F21S2/00 | 分类号： | F21S2/00;F21V8/00;F21V14/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 胡美强 |
| 地址： | 201508 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光模块、电子装置及光强度改变方法，本发明的发光模块包括：至少一导光单元；所述的至少一导光单元具有一第一密度及一第二密度的微结构；以及至少一发光单元；所述的至少一发光单元对应设置于该导光单元之一入光面，并发出一光线由该入光面射入该导光单元；该导光单元与该发光单元能相对转动，使该导光单元相对该发光单元具有一第一位置及一第二位置，且分别对应该第一密度及该第二密度的微结构，当该光线通过该第一位置之该第一密度微结构，并射出该导光单元时具有一第一光强度，当该光线通过该第二位置之该第二密度微结构，并射出该导光单元时具有一第二光强度；本发明的有益效果是：可达到多样化的光强度输出。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 模块 电子 装置 强度 改变 方法 | ||
【主权项】：
一种发光模块，包括：至少一导光单元；其特征在于：所述的至少一导光单元具有一第一密度及一第二密度的微结构；以及至少一发光单元；所述的至少一发光单元对应设置于该导光单元之一入光面，并发出一光线由该入光面射入该导光单元；该导光单元与该发光单元能相对转动，使该导光单元相对该发光单元具有一第一位置及一第二位置，且分别对应该第一密度及该第二密度的微结构，当该光线通过该第一位置之该第一密度微结构，并射出该导光单元时具有一第一光强度，当该光线通过该第二位置之该第二密度微结构，并射出该导光单元时具有一第二光强度。
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