[发明专利]认证铁电随机存取存储器(F-RAM)装置和方法有效
| 申请号： | 201210025501.6 | 申请日： | 2012-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN102693190A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 库尔特·S·施瓦兹;起道·李;迈克尔·博尔扎 | 申请（专利权）人： | 瑞创国际公司 |
| 主分类号： | G06F12/14 | 分类号： | G06F12/14;G06F21/00 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了认证铁电随机存取存储器(F-RAM)装置和方法。本发明的装置和技术利用高级加密标准AES128加密模块以及真硬件随机数产生器和基本异或(XOR)功能以获得处理量相对小的安全算法。由于写时间比传统的浮栅非易失性存储器技术的写时间短，使用F-RAM显著降低了干预关键安全参数(CSP)更新可用的时间。而且，与浮栅技术不同，F-RAM的读和写电流特征得到平衡，使得较不易发生旁路攻击，同时还提供了短得多的擦除时间。 | ||
| 搜索关键词： | 认证 随机存取存储器 ram 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种配置成连接至相关主机系统的存储装置，所述装置包括：铁电存储器阵列，所述铁电存储器阵列包括用户存储空间和配置存储空间；以及控制逻辑，所述控制逻辑配置成连接在所述主机系统和所述铁电存储器阵列之间，所述控制逻辑可操作以根据在所述主机系统和所述存储装置之间的相互认证，提供对所述用户存储空间的访问。
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