[发明专利]一种槽型混合表面等离子激元光波导无效

专利信息
申请号: 201210011869.7 申请日: 2012-01-16
公开(公告)号: CN102565934A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 郑铮;卞宇生;赵欣;刘磊;苏亚林;刘建胜 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种具有较强模场限制能力的槽型混合表面等离子激元光波导,该波导结构的横截面包括“V”字形金属基底(1)、低折射率介质层(2)、高折射率介质区(3)以及包层(4)。“V”字形金属基底和高折射率介质区的存在,使得大部分光场能够被限制在纳米级的“V”字形低折射率介质槽中,同时具有较低的传输损耗。此结构易于加工,可应用于构建高集成度的光波导器件和芯片。
搜索关键词: 一种 混合 表面 等离子 激元光 波导
【主权项】:
本发明提供了一种具有较强模场限制能力的槽型混合表面等离子激元光波导,其横截面从下到上依次为金属基底、低折射率介质层、高折射率介质区和包层;金属基底在与低折射率介质层相接的区域的外轮廓呈“V”字形,且金属基底“V”字形区域的高度范围为所传输光信号的波长的0.12‑0.65倍;低折射率介质层与金属基底相接的区域的外轮廓以及低折射率介质层与高折射率介质区相接的区域的外轮廓均呈“V”字形,低折射率介质层的厚度均匀,其厚度范围为所传输光信号的波长的0.06‑0.4倍,金属基底“V”字形区域中心的外顶角和高折射率介质区底部的内顶角相等,其角度范围大于0度且小于180度;高折射率介质区的材料折射率高于低折射率介质层以及包层的材料折射率,低折射率介质层和包层的材料可为相同材料或不同材料,低折射率介质层和包层的材料折射率的最大值与高折射率介质区的材料折射率的比值小于0.75。
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