[发明专利]硅单晶制造方法、硅单晶和晶片有效
| 申请号： | 201180063344.1 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN103282555A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 中居克彦;大久保正道 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李振东;过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供通过Czochralski法制造p型硅单晶的硅单晶制造方法，由该硅单晶可以获得电阻率高、电阻率径向均匀性良好且电阻率变化小的晶片。该p型硅单晶2是通过Czochralski法由其中硼浓度不大于4E14个原子/cm3且磷浓度与硼浓度的比例不小于0.42且不大于0.50的初期硅熔体生长的。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 制造 方法 晶片 | ||
【主权项】：
硅单晶制造方法，其特征在于，通过Czochralski法由其中硼浓度不大于4E14个原子/cm3且磷浓度与硼浓度的比例不小于0.42且不大于0.50的初期硅熔体生长p型硅单晶。
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