[发明专利]CMOS器件的IDDQ测试有效
| 申请号： | 201180060400.6 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103261902A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 薛真成 | 申请（专利权）人： | 晶像股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 高见 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | CMOS器件的IDDQ测试。方法实施例包括应用测试图案输入至一器件，此器件包括一个或多个CMOS(互补金属氧化物半导体)晶体管，以及针对此器件获得电流测量，电流测量中的每一个是应用该测试图案的输入至该器件之后对电流的测量。滤波函数被应用至此电流测量，应用此滤波函数包括从电流测量分离缺陷电流值。此方法还包括至少部分地基于此缺陷电流值与阈值的比较来确定当前的器件中是否有缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 器件 iddq 测试 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：应用测试图案输入至一器件，所述器件包括一个或多个CMOS(互补金属氧化物半导体)晶体管；针对所述器件获得多个电流测量，所述多个电流测量中的每一个是在应用所述测试图案的输入至所述器件之后对电流的测量；应用滤波函数至所述多个电流测量，应用所述滤波函数包括从所述电流测量分离缺陷电流值；以及基于所述缺陷电流值与阈值的比较，确定是否有缺陷存在于所述器件中。
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