[发明专利]电极以及包括该电极的电子器件有效
申请号: | 201180051664.5 | 申请日: | 2011-12-29 |
公开(公告)号: | CN103189932B | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 黃智泳;黃仁晳;孙镛久;朴珉春;闵盛晙;成智玹 | 申请(专利权)人: | LG化学株式会社 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;G06F3/041 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 朱梅;师杨 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种电极及其制备方法,其中,所述电极包括:辅助电极,其具有导电图案;和主电极,其形成在所述辅助电极的至少一部分上且与所述辅助电极电连接。 1 | ||
搜索关键词: | 电极 辅助电极 导电图案 电子器件 电连接 主电极 制备 | ||
辅助电极,其包括导电图案;和
主电极,其设置在所述辅助电极的至少一部分上以与所述辅助电极电连接,
其中,当设置在所述电极上的有机发光二极管的容许厚度偏差为β%时,所述辅助电极的导电图案的锥角α可以由以下公式1表示:
[公式1]
0≤α<Arccos[(1‑0.01×β)]
其中,当辅助电极的导电图案的锥角由α表示且在设置于其上的主电极的水平表面上的厚度由T0表示时,在辅助电极的导电图案倾斜的斜坡上主电极的厚度T定义为T=T0cosα,
其中,所述有机发光二极管设置在主电极上,容许厚度偏差为β%,由如下公式2表示,
[公式2]
(1‑0.01×β)×D0≤D=D0cosα≤D0
其中,有机发光二极管的有机材料层的水平表面的厚度由D0表示,并且在辅助电极的导电图案倾斜的斜坡上的有机发光二极管的厚度D定义为D=D0cosα,其中,辅助电极的导电图案的锥角大于0度且在25度以下,
其中,所述主电极具有覆盖所述辅助电极的所有上表面和侧面的结构,并且
其中,所述辅助电极的材料由铜组成。
2.根据权利要求1所述的电极,其中,设置在所述电极上的有机发光二极管的容许厚度偏差为10%以下。3.根据权利要求1所述的电极,其中,所述主电极包含透明导电材料。4.一种电子器件,其包括根据权利要求1至3中任一项所述的电极。5.根据权利要求4所述的电子器件,其中,所述电子器件为触摸面板或者显示器。6.一种制备电极的方法,该方法包括:1)在基板上形成辅助电极,所述辅助电极包括导电图案;以及
2)形成主电极,所述主电极设置在所述辅助电极的至少一部分上以与所述辅助电极电连接,
其中,所述辅助电极由光刻蚀法形成并且在此情况下,光致抗蚀材料的软性烘烤温度控制至110℃以下,或者
所述辅助电极由间接印刷法形成,并且在此情况下,光致抗蚀剂材料的软性烘烤温度控制至80至90℃,
其中,当设置在所述电极上的有机发光二极管的容许厚度偏差为β%时,所述辅助电极的导电图案的锥角α由以下公式1表示,
[公式1]
0≤α<Arccos[(1‑0.01×β)]
其中,当辅助电极的导电图案的锥角由α表示且在设置于其上的主电极的水平表面上的厚度由T0表示时,在辅助电极的导电图案倾斜的斜坡上主电极的厚度T定义为T=T0cosα,
其中,所述有机发光二极管设置在主电极上,容许厚度偏差为β%,由如下公式2表示,
[公式2]
(1‑0.01×β)×D0≤D=D0cosα≤D0
其中,有机发光二极管的有机材料层的水平表面的厚度由D0表示,并且在辅助电极的导电图案倾斜的斜坡上的有机发光二极管的厚度D定义为D=D0cosα,
其中,所述主电极具有覆盖所述辅助电极的所有上表面和侧面的结构,并且
其中,所述辅助电极的材料由铜组成。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述辅助电极的导电图案的锥角大于0度且在25度以下。8.根据权利要求6所述的方法,其中,所述辅助电极由光刻蚀法或者间接印刷法形成,并且在此情况下,当所述辅助电极的材料包含铜时,基于过硫酸氢钾制剂的刻蚀剂用作刻蚀剂。该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG化学株式会社,未经LG化学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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