[发明专利]用于使用电子倍增的真空管的电子倍增结构以及具有该电子倍增结构的使用电子倍增的真空管有效
| 申请号： | 201180026584.4 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN103026449A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 格特·努特则;帕斯卡尔·拉乌特;理查德·杰克曼 | 申请（专利权）人： | 福托尼斯法国公司 |
| 主分类号： | H01J31/50 | 分类号： | H01J31/50;H01J40/06;H01J1/32 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 彭家恩;彭愿洁 |
| 地址： | 法国布里夫·拉·基尔拉*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及用于使用电子倍增的真空管中的电子倍增结构以及具有该电子倍增结构的使用电子倍增的真空管。根据本发明，提出了用于使用电子倍增的真空管的电子倍增结构，所述电子倍增结构包括旨在取向为与真空管的进入窗成面向关系的输入面，旨在取向为与真空管的探测面成面向关系的输出面，其中所述电子倍增结构至少包括邻近于探测窗的半导体材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使用 电子 倍增 真空管 结构 以及 具有 | ||
【主权项】：
用于使用电子倍增的真空管的电子倍增结构（70），所述电子倍增结构（70）包括旨在取向为与真空管的进入窗成面向关系的输入面，旨在取向为与真空管的探测面成面向关系的输出面，其中所述电子倍增结构至少包括半导体材料层，其特征在于，所述半导体层邻近于真空管的所述探测面。
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