[发明专利]软X射线检测用多晶闪烁器有效

专利信息
申请号: 201180021845.3 申请日: 2011-10-25
公开(公告)号: CN102869748A 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 中村良平;田中谦弥;上田俊介 申请(专利权)人: 日立金属株式会社
主分类号: C09K11/80 分类号: C09K11/80;C09K11/00;G01T1/20;G01T1/202
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张宝荣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种软X射线检测用多晶闪烁器,其含有作为发光元素的Ce和至少Y、Gd、Al、Ga及O,且具有石榴石结晶构造,具有以下述一般式:(Y1-x-zGdxCez)3+a(Al1-uGau)5-aO12(其中,0≤a≤0.1,0.15≤x≤0.3,0.002≤z≤0.015,及0.35≤u≤0.55)表示的组成,Fe含量以独占比例算为0.05~1质量ppm,Si的含量以独占比例算为0.5~10质量ppm,50keV的X射线的吸收系数μ50与100keV的X射线的吸收系数μ100之比μ50/μ100为3以上,X射线停止后3ms后的余辉为800ppm以下。
搜索关键词: 射线 检测 多晶 闪烁
【主权项】:
一种软X射线检测用多晶闪烁器,其含有作为发光元素的Ce和至少Y、Gd、Al、Ga及O,且具有石榴石结晶构造,其特征在于,具有以下述一般式:(Y1‑x‑zGdxCez)3+a(Al1‑uGau)5‑aO12表示的组成,其中,0≤a≤0.1,0.15≤x≤0.3,0.002≤z≤0.015,及0.35≤u≤0.55,Fe的含量以独占比例算为0.05~1质量ppm,Si的含量以独占比例算为0.5~10质量ppm,50keV的X射线的吸收系数μ50与100keV的X射线的吸收系数μ100之比μ50/μ100为3以上,X射线停止后3ms后的余辉为800ppm以下。
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