[发明专利]温度传感器及采用该温度传感器的辐射温度计、温度传感器的制造方法、采用光刻胶膜的多层薄膜热电堆及采用该热电堆的辐射温度计、以及多层薄膜热电堆的制造方法有效

专利信息
申请号: 201180021250.8 申请日: 2011-04-26
公开(公告)号: CN102947683A 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 木村光照;田中伸雄;下林弘典 申请(专利权)人: HME有限公司;东北学院
主分类号: G01J5/16 分类号: G01J5/16;G01J1/02;G01J5/02
代理公司: 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 代理人: 吴小灿
地址: 日本三重*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明目的在于提供一种不增加内部电阻r、而热电偶数量增加的高输出高S/N的热电堆、高灵敏度辐射温度计,还进一步提供一种有机材料薄膜的制造方法、以及均匀的、廉价的、高灵敏度的多层薄膜热电堆和高灵敏度辐射温度计及其制造方法。将在与基板热分离的薄膜上形成的热电堆设置在温度感应部的温度传感器中,所述薄膜为多层薄膜,在其各层薄膜中,形成层热电堆,所述层热电堆用作为基板热沉以形成诸如热电堆基准温度的一个接点。另外,各层热电堆串联连接形成组合热电堆,该串联连接设计成输出大的结构。将该组合热电堆作为温度传感器使用,制成辐射温度计。
搜索关键词: 温度传感器 采用 辐射 温度计 制造 方法 光刻 胶膜 多层 薄膜 热电 以及
【主权项】:
一种将从基板热分离的薄膜上形成的热电堆设置在温度感应部的温度传感器,其特征在于,上述薄膜具有多个接合的多层薄膜,在构成该多层薄膜的各层薄膜上,形成各层热电堆,构成上述各层热电堆的各热电偶的冷接点和温接点中的其中一个接点形成在上述基板的位置上,而另一个接点则形成在上述各层薄膜中热分离于基板的区域上,上述基板用作为比上述薄膜热容大的热沉,形成于上述各层薄膜上的各层热电堆按照顺序串联连接形成组合热电堆,该串联连接使得组合热电堆的输出变大。
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