[发明专利]包含量子阱混合（QWI）输出窗和波导区域的激光二极管与制造方法无效
| 申请号： | 201180018945.0 | 申请日： | 2011-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN104540582A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 张传阳;陈建治;马丁·H·胡;洪·其·阮;中-恩·扎赫 | 申请（专利权）人： | 康宁公司 |
| 主分类号： | B01J19/00 | 分类号： | B01J19/00;B01L3/00;F16L19/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据本公开案的一个实施方式，提供一种制造包含增益部分、QWI输出窗和QWI波导区域的半导体激光二极管的方法。QWI波导区域通过使用量子阱混合来制造，且所述QWI波导区域界定激光二极管的QWI输出窗中的QWI波导部分。对激光波长λL来说，QWI输出窗是透明的。QWI输出窗中的QWI波导部分的特征为大于增益部分的能量带隙的能量带隙以使得QWI波导部分和QWI输出窗中的带隙波长λQWI小于激光波长λL。QWI输出窗的特征为光致发光波长λPL。制造方法包含基于比较激光波长λL与QWI输出窗的光致发光波长λPL来判定激光二极管可靠性的λPL筛选协议。公开并请求附加实施方式。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 量子 混合 qwi 输出 波导 区域 激光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造包含增益部分、QWI输出窗和QWI波导区域的半导体激光二极管的方法，其中：所述半导体激光二极管的特征为激光波长λL;所述QWI波导区域通过使用量子阱混合来制造，且所述QWI波导区域界定所述激光二极管的所述QWI输出窗中的QWI波导部分；对所述激光波长λL来说，所述QWI输出窗是透明的；所述QWI输出窗中的所述QWI波导部分的特征为大于所述增益部分的能量带隙的能量带隙以使得所述QWI波导部分和所述QWI输出窗中的所述带隙波长λQWI小于所述激光波长λL；所述QWI输出窗的特征为光致发光波长λPL；及所述制造方法包含基于比较所述激光波长λL与所述QWI输出窗的所述光致发光波长λPL来判定激光二极管可靠性的λPL筛选协议。
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