[发明专利]灵敏的微米系统和纳米系统的连接方法无效
| 申请号： | 201180010791.0 | 申请日： | 2011-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102883991A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 尼尔斯·霍伊维克;伯杰尔·斯塔克;安德斯·艾尔芬;王凯英 | 申请（专利权）人： | 森松诺尔技术有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郑小粤;贾满意 |
| 地址： | 挪威*** | 国省代码： | 挪威;NO |
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| 摘要： | 一种金属内扩散连接方法，用于形成MEMS装置的气密密封的晶片级封装，包括下列步骤：在第一晶片和第二晶片的表面上提供第一金属堆，第一金属在空气中易氧化；在每一个第一金属堆的上表面上提供第二金属层，第二金属具有比第一金属低的熔点，所述第二金属层的厚度足以抑制所述第一金属上表面的氧化；使所述第一晶片上的第二金属层接触第二晶片上的第二金属层以形成连接界面；以及在低于所述第二金属的熔点的连接温度向第一和第二晶片施加连接压力以促使连接，所述连接压力足以使连接界面处的第二金属层变形。 | ||
| 搜索关键词： | 灵敏 微米 系统 纳米 连接 方法 | ||
【主权项】：
一种金属内扩散连接方法，用于形成MEMS装置的气密密封的晶片级封装，包括下列步骤：在第一晶片和第二晶片的表面上提供第一金属堆，第一金属在空气中易氧化；在每一个第一金属堆的上表面上提供第二金属层，第二金属具有比所述第一金属更低的熔点，所述第二金属层厚度足以抑制第一金属的上表面的氧化；使所述第一晶片上的第二金属层接触所述第二晶片上的所述第二金属层以形成连接界面；以及在低于所述第二金属的熔点的连接温度向所述第一和第二晶片施加连接压力以促使连接，所述连接压力足以使所述连接界面处的所述第二金属层变形。
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