[实用新型]扩展同轴线多路合成放大装置有效

专利信息
申请号: 201120350381.8 申请日: 2011-09-19
公开(公告)号: CN202210781U 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 骆新江 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H03F3/20 分类号: H03F3/20
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 杜军
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型涉及扩展同轴线多路合成放大装置。本实用新型包括同轴设置的顶座、底座和内芯,顶座和底座均为正多边形金属柱体。顶座内开有上扩展同轴腔,底座内开有下扩展同轴腔;内芯为半径呈阶梯变化的圆柱形金属柱,内芯固定在底座的凸起上,顶座和底座固定连接;主端口SMA接头固定在顶座顶面,其内导体插入内芯顶部的盲孔内;底座每个侧面设置有支路SMA接头,顶面沿径向开有安装槽,每个安装槽内设置有固态功率放大器芯片和微带探针,微带探针一端伸入到扩展同轴腔内,另一端与固态功率放大器芯片输出端连接;固态功率放大器芯片的输入端与对应支路的SMA接头连接。本实用新型基于同轴线设计,功率容量大、工作带宽宽、合成效率高。
搜索关键词: 扩展 同轴线 合成 放大 装置
【主权项】:
扩展同轴线多路合成放大装置,包括顶座、底座和内芯,其特征在于:所述的顶座和底座均为正多边形金属柱体,顶座和底座的横截面的外沿形状相同;所述的顶座内开有上扩展同轴腔,上扩展同轴腔贯通顶座设置,所述的上扩展同轴腔为半径呈阶梯变化的圆柱形,其中上部为最小直径的部分、下部为最大直径的部分,上扩展同轴腔与顶座同轴设置;所述的底座内开有下扩展同轴腔,所述的下扩展同轴腔为圆环形槽,下扩展同轴腔的外径与上扩展同轴腔的最大直径相同;底座的中心设置有凸起,所述的凸起为圆柱形,凸起的顶部设置有定位销,凸起的外径与下扩展同轴腔的内径相同,下扩展同轴腔、凸起与底座同轴设置;所述的内芯为半径呈阶梯变化的圆柱形金属柱,其中上部为最小直径的部分、下部为最大直径的部分,内芯的最小直径小于上扩展同轴腔的最小直径,内芯的最大直径等于凸起的直径;内芯的顶部开有盲孔、底部开有定位槽;内芯通过定位槽和定位销固定在底座的凸起上,顶座和底座通过螺钉固定连接,顶座、底座和内芯同轴设置,上扩展同轴腔与下扩展同轴腔合成为扩展同轴腔,主端口SMA接头固定在顶座的顶面中心位置,并将上扩展同轴腔的顶部开口封闭,主端口SMA接头的内导体插入内芯顶部的盲孔内;底座的每个侧面设置有支路SMA接头,底座的顶面沿径向开有安装槽,安装槽的数量与底座的侧面数量相同,每个安装槽一端开口于顶面正多边形每个边的中心位置、另一端开有于扩展同轴腔的侧壁;每个安装槽内设置有固态功率放大器芯片和微带探针,微带探针的一端伸入到扩展同轴腔内;每个固态功率放大器芯片的输入端通过微带线与对应支路上的SMA接头连接,每个固态功率放大器芯片的输出端与对应支路上的微带探针的另一端连接。
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