[实用新型]自耗小电流晶体管耦合电路有效
| 申请号： | 201120317153.0 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN202221991U | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 余国伟 | 申请（专利权）人： | 余国伟 |
| 主分类号： | H03K19/14 | 分类号： | H03K19/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 558000 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种自耗小电流晶体管耦合电路，三极管Q1的发射极是外接端P并作为电源正极；三极管Q1的基极连接电阻R1，电阻R1的另一端是外界输入控制端A，三极管Q1的集电极连接电阻R2，电阻R2的另一端连接三级管Q3的基极和电阻R4，电阻R4另一端连接三极管Q2的集电极；三极管Q3的集电极连接电阻R5并作为外接输出端Y；电阻R5另一端连接三极管Q2的发射极并作为外接电源中间端Q；三极管Q2的基极连接电阻R3，电阻R3的另一端作为外接输入控制端B；三极管Q3的发射极作为外接电源负极端R，在输入端A和Q1的基极之间接入晶体管反相极，在输出端B和Q2的基极之间接入晶体管反相极，本实用新型电路简单，自耗电流小。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 晶体管 耦合 电路 | ||
【主权项】：
一种自耗小电流晶体管耦合电路，其特征在于：三极管Q1的发射极是外接端P并作为电源正极；三极管Q1的基极连接电阻R1，电阻R1的另一端是外界输入控制端A，三极管Q1的集电极连接电阻R2，电阻R2的另一端连接三级管Q3的基极和电阻R4，电阻R4另一端连接三极管Q2的集电极；三极管Q3的集电极连接电阻R5并作为外接输出端Y；电阻R5另一端连接三极管Q2的发射极并作为外接电源中间端Q；三极管Q2的基极连接电阻R3，电阻R3的另一端作为外接输入控制端B；三极管Q3的发射极作为外接电源负极端R，在输入端A和Q1的基极之间接入晶体管反相极，在输出端B和Q2的基极之间接入晶体管反相极。
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