[实用新型]射频发射谐波抑制电路有效
| 申请号： | 201120204292.2 | 申请日： | 2011-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN202111664U | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 陈雁升 | 申请（专利权）人： | 广东星辉车模股份有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/04 | 分类号： | H03B5/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 515800 广东省汕头市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种射频发射谐波抑制电路，电源与三极管的集电极之间串联电感，编码调制信号输入端与三极管的基极之间并联第一电容，编码调制信号输出端与三极管的集电极并联，三极管的集电极接入地端，编码调制信号输出端与三极管的发射极之间并联第二电容和第三电容，第二电容和第三电容串联。采用本实用新型电路后，谐波信号增益大幅度降低，通过调节第二电容和第三电容的容值，使其滤波频率点与谐波频率重叠，即可有效抑制谐波，使其增益大幅度降低，可达到R&TTE和FCC标准要求。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 发射 谐波 抑制 电路 | ||
【主权项】：
一种射频发射谐波抑制电路，电源与三极管的集电极之间串联电感，编码调制信号输入端与三极管的基极之间并联第一电容(C1)，编码调制信号输出端与三极管的集电极并联，三极管的集电极接入地端，其特征在于：所述编码调制信号输出端与三极管的发射极之间并联第二电容(C2)和第三电容(C3)，第二电容(C2)和第三电容(C3)串联。
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