[实用新型]系统负载测试的可换式动态调整装置有效
| 申请号： | 201120120914.3 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN202119807U | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 扬尚升;杨明振 | 申请（专利权）人： | 瑞传科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R1/20 | 分类号： | G01R1/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种系统负载测试的可换式动态调整装置，其包括：一电路板；一负载功率调整装置，设于该电路板上，包括有多个对应不同电压选择的负载旋钮开关；一可换式负载电阻装置，设于该电路板上，包括多个电阻件；一金氧半场效晶体管装置(MOSFET)，设于该电路板上，包括有多个对应该电阻件的MOSFET开关；一脉宽调变控制装置，设于该电路板上，用以产生脉宽调变(PWM)信号控制MOSFET开关得到所需电流；如此一来，能达到利用负载可换式模块设计而具有功率动态调整的功效，进而达到功率负载检测上的极佳精准性、效率性及经济性。 | ||
| 搜索关键词： | 系统 负载 测试 可换式 动态 调整 装置 | ||
【主权项】：
一种系统负载测试的可换式动态调整装置，其特征在于包括：一电路板；一负载功率调整装置，设于该电路板上，包括有多个对应不同电压选择的负载旋钮开关；一可换式负载电阻装置，设于该电路板上，包括有多个电阻件；一金氧半场效晶体管装置MOSFET，系设于该电路板上，包括有多个对应该电阻件的MOSFET开关；一脉宽调变控制装置，设于该电路板上，用以产生脉宽调变(PWM)信号控制MOSFET开关得到所需电流。
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