[实用新型]纯MOS结构高精度电流基准源有效
申请号: | 201120086365.2 | 申请日: | 2011-03-29 |
公开(公告)号: | CN202075652U | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 张启东;贾雪绒 | 申请(专利权)人: | 西安华芯半导体有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 徐平 |
地址: | 710055 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型旨在提供一种纯MOS结构高精度电流基准源,以解决现有技术中电路复杂,占用面积较大,实现起来困难的问题。本实用新型中的所述零温度系数电流镜像电路包括并联的多个镜像电流支路,其中一个镜像电流支路上设置有用以调节自偏置电压的分压电阻,该分压电阻的负端作为偏置电压输出端与作为压控恒流源的P型MOS管的栅极连接。本实用新型主要元件采用MOS管,整个电路较之于传统方案使用的元器件明显减少;应用很简便的方法即得到一个零温度系数的基准电流。 | ||
搜索关键词: | mos 结构 高精度 电流 基准 | ||
【主权项】:
纯MOS结构高精度电流基准源,包括正温度系数电流产生电路、负温度系数电流产生电路、零温度系数电流镜像电路和为这三个电路提供电源的直流电压源,零温度系数电流镜像电路的镜像电流引入端即所述正温度系数电流产生电路和负温度系数电流产生电路输出的正、负温度系数电流的汇合节点,零温度系数电流镜像电路的镜像电流输出即高精度电流基准源的输出;其特征在于:所述正温度系数电流产生电路、负温度系数电流产生电路的温度系数电流产生元件分别为第一耗尽型MOS管、第二耗尽型MOS管;所述正温度系数电流产生电路还包括自偏置电压产生电路以及由其控制的压控恒流源,所述压控恒流源的输出作为第一耗尽型MOS管的给定输入,所述自偏置电压产生电路的输入参考电流取自零温度系数电流镜像电路。
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