[发明专利]用于分析带电粒子束的密度的装置和方法无效

专利信息
申请号: 201110463322.6 申请日: 2011-12-07
公开(公告)号: CN102608395A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: P·J·奥旺 申请(专利权)人: 高级冶金技术公司
主分类号: G01R19/08 分类号: G01R19/08;G01B7/00;G01T1/29
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘敏
地址: 法国梅*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 用于通过使用穿有孔7的转动靶2来分析带电粒子束F的截面中的电流密度的装置和方法。这种装置和相关的处理方法使得能够不用断层X线摄影重构方法来重构电流密度的3D图像。
搜索关键词: 用于 分析 带电 粒子束 密度 装置 方法
【主权项】:
用于分析带电粒子入射束(F)中的电流密度的装置(1),其特征在于,所述装置包括:活动靶(2),所述活动靶被布置以便在分析过程中在其中投射所述入射束(F);至少一个孔(7),其穿过所述活动靶(2)并且被布置以便当所述靶(2)移动时每个孔(7)按照各自的路径经过所述束的截面,以及仅入射束(F)的一部分(dF)通过所述孔(7)穿过所述靶;和,用于测量所述部分(dF)的电流密度的部件(8)。
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