[发明专利]用于PDP的介质保护层材料及其制备方法以及介质保护层无效
申请号: | 201110459384.X | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN103787587A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 薛道齐;商红凯;李海燕 | 申请(专利权)人: | 四川虹欧显示器件有限公司 |
主分类号: | C03C17/245 | 分类号: | C03C17/245;H01J11/40;H01J9/24 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;余刚 |
地址: | 621000 四川省绵阳市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于PDP的介质保护层材料及其制备方法以及介质保护层。该介质保护层材料以MgO为主晶相,并且包括CaO、BeO、SrO、BaO、CeO2中的一种或几种作为掺杂金属氧化物。通过碱土金属氧化物的掺杂,在MgO主晶相中非固有地引起缺陷能级,该缺陷能级能够捕获空穴和电子,提高MgO主晶相的二次电子发射系数,从而取得了降低PDP屏放电电压,提高PDP屏发光效率的技术效果。 | ||
搜索关键词: | 用于 pdp 介质 保护层 材料 及其 制备 方法 以及 | ||
【主权项】:
一种用于PDP的介质保护层材料,以MgO为主晶相,其特征在于,所述介质保护层材料进一步包括CaO、BeO、SrO、BaO、CeO2中的一种或几种作为掺杂金属氧化物。
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