[发明专利]氧化硅玻璃坩埚的制造方法有效
| 申请号： | 201110445484.7 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102531350A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 须藤俊明;铃木江梨子 | 申请（专利权）人： | 日本超精石英株式会社 |
| 主分类号： | C03B20/00 | 分类号： | C03B20/00;C30B15/10 |
| 代理公司： | 深圳市维邦知识产权事务所 44269 | 代理人： | 王昌花 |
| 地址： | 日本秋田县*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种控制氧化硅玻璃坩埚制造时的熔化状态，来防止单晶硅制造时坩埚内表面发生褐色环，并能够抑制熔液面振动的氧化硅玻璃坩埚的制造方法。本发明的氧化硅玻璃坩埚制造方法，向坩埚形成用的模具内供给原料氧化硅粉末形成氧化硅粉层，再利用电弧放电加热熔化该氧化硅粉层来制造氧化硅玻璃坩埚的方法，其包含：通过向上述模具内部供给原料氧化硅粉末来形成氧化硅粉层的氧化硅粉末供给工序，以及通过利用多个碳电极进行的电弧放电来熔化氧化硅粉层的电弧熔化工序，在所述电弧熔化工序中，测量上述氧化硅粉层的温度，并以在上述电弧熔化工序中初期出现的最初的温度最高点Tp作为基准温度，根据上述基准温度来控制氧化硅玻璃熔化状态。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 玻璃 坩埚 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于包括：通过向坩埚成形用模具内部供给氧化硅粉末来形成氧化硅粉层的氧化硅粉末供给工序，以及通过利用多个碳电极进行的电弧放电来熔化氧化硅粉层的电弧熔化工序，其中，所述电弧熔化工序包括控制氧化硅玻璃熔化状态的工序，在该工序中，测量上述氧化硅粉层的温度，并以在上述电弧熔化工序中初期出现的最初的温度最高点作为基准温度，根据上述基准温度来控制氧化硅玻璃熔化状态。
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