[发明专利]一种高强高导铜/钼纳米多层薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201110440618.6 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102492929A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 孙勇;郭中正;段永华 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/14;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明是一种高强高导铜/钼纳米多层薄膜及其制备方法，属于微电子和微机械工业中所用的互联体系和力学结构材料及其制备技术。采用离子束辅助的磁控溅射工艺，将铜和钼以一定厚度交替沉积形成多层薄膜材料，且调制周期为50～100nm，铜子层和钼子层的层厚比为1.5～2.0，纳米多层薄膜总厚度700～900nm。采用本技术制备的纳米多层薄膜强度和硬度大、导电性高，综合性能优，且本技术高效可靠，可望进一步拓展材料应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高强 高导铜 纳米 多层 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高强高导铜/钼纳米多层薄膜，其特征是：铜/钼纳米多层薄膜是将铜和钼交替沉积形成的纳米多层薄膜材料，调制周期为50～100nm，铜子层和钼子层的层厚比为1.5～2.0，纳米多层薄膜总厚度700～900nm。
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