[发明专利]微结构加工方法无效
申请号: | 201110439986.9 | 申请日: | 2011-12-26 |
公开(公告)号: | CN103178349A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 刘若鹏;赵治亚;法布里齐亚·盖佐;金晶 | 申请(专利权)人: | 深圳光启高等理工研究院 |
主分类号: | H01Q15/00 | 分类号: | H01Q15/00 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种微结构加工方法,该方法利用磁控溅射镀膜装置,将附有图案化的掩膜板的超材料基片设置在磁控溅射镀膜装置的阳极上,而将金属片设置在阴极上;然后将磁控溅射镀膜装置的真空室抽成高真空后充入低压惰性气体;接着在阳极和阴极之间加上预定电压后经预定时间断开;最后从超材料基片上揭去掩膜板而得到所需要的金属微结构。根据本发明的方法来加工微结构,可大大提高铜箔与基片的结合力并大大节省了金属的用量,并且可以大批量高效率进行超材料的批量化加工生产。 | ||
搜索关键词: | 微结构 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种微结构加工方法,该方法利用磁控溅射镀膜装置,包括以下步骤:a、获取超材料基片;b、获取图案化的掩膜板;c、将图案化的掩膜板覆盖在超材料基片上;d、将该超材料基片固定于磁控溅射镀膜装置的阳极上,并将金属片置于磁控溅射镀膜装置的、正对着基片的阴极上;e、将磁控溅射镀膜装置的真空室抽成高真空,然后充入低压惰性气体;f、在阳极和阴极之间加上预定电压,使之产生辉光放电,然后经预定时间后断开该预定电压;g、从超材料基片上揭去掩膜板即得到所需要的金属微结构。
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