[发明专利]一种增强太赫兹辐射吸收率的膜系结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201110434601.X | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102529211A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王军;蒋亚东;苟君;吴志明;黎威志 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | B32B9/04 | 分类号： | B32B9/04;B32B15/00;G01J5/02 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强太赫兹辐射吸收率的膜系结构及其制备方法，该膜系结构位于太赫兹探测器敏感单元的顶层，包括介质薄膜及位于其上的太赫兹吸收层。所述介质薄膜为采用PECVD混频技术制备的低应力氮化硅或氧化硅薄膜，该介质薄膜被反应离子刻蚀为微纳米量级的粗糙表面，所述太赫兹吸收层由磁控溅射法制备在表面粗糙的介质薄膜上。由于粗糙的介质薄膜表面结构增大了太赫兹吸收层的表体比，有效增强太赫兹辐射吸收率，并且制备工艺简单合理，易大面积制备与集成，可广泛应用于各种太赫兹探测与成像技术领域，为高性能太赫兹探测器的研制提供有力支持。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 赫兹 辐射 吸收率 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种增强太赫兹辐射吸收率的膜系结构，包括介质薄膜和太赫兹吸收层，其特征在于：所述介质薄膜表面粗糙，表面粗糙度在微纳米量级；所述太赫兹吸收层位于表面粗糙的介质薄膜之上。
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