[发明专利]电平移位电路有效
| 申请号： | 201110430950.4 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103178829A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 朱恺;王晓东;苏振江;陈捷;郭振业 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电平移位电路，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一反相器和输入信号转换单元，其中，输入信号转换单元与电平移位电路的输入端相连，用于输出窄脉冲信号；第一NMOS管的栅极与输入信号转换单元的输出端相连接，第一NMOS管的源极连接于地，漏极耦接于第一PMOS管的漏极；第一反相器的输入端与电平移位电路的输入端相连，第一反相器的输出端与第二NMOS管的栅极相连；第二NMOS管的漏极耦接于第二PMOS管的漏极，源极连接于地；第一PMOS管的栅极和漏极相连，其源极与电源相连；第二PMOS管的栅极和第一PMOS管的栅极相连，第二PMOS管的源极与电源相连，其漏极与电平移位电路的输出端相连。本发明电平移位电路可以减小漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 移位 电路 | ||
【主权项】：
一种电平移位电路，其特征在于，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一反相器和输入信号转换单元，其中，所述输入信号转换单元与电平移位电路的输入端相连，用于输出窄脉冲信号，所述窄脉冲信号与输入信号的上升沿的时刻相同，所述窄脉冲信号与所述输入信号的周期相同，所述窄脉冲信号的高电平的持续时间比输入信号的高电平的持续时间短；所述第一NMOS管的栅极与所述输入信号转换单元的输出端相连接，所述第一NMOS管的源极连接于地，漏极耦接于第一PMOS管的漏极；所述第一反相器的输入端与电平移位电路的输入端相连，所述第一反相器的输出端与所述第二NMOS管的栅极相连；所述第二NMOS管的漏极耦接于第二PMOS管的漏极，源极连接于地；所述第一PMOS管的栅极和漏极相连，其源极与电源相连；所述第二PMOS管的栅极和第一PMOS管的栅极相连，所述第二PMOS管的源极与电源相连，其漏极与电平移位电路的输出端相连。
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