[发明专利]单晶硅制造装置热场无效
| 申请号： | 201110430417.8 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103173852A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 袁文宝 | 申请（专利权）人： | 卉欣光电科技（江苏）有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225507 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶硅制造装置热场，它包括炉壁、石英坩埚、石墨坩埚、石墨加热器、石墨隔套，石英坩埚置于石墨坩埚内，石墨加热器设置在石墨坩埚的周围；石墨隔套套装在炉壁内壁，将石墨加热器包围在其内侧空间；在石英坩埚的上方设有锥形导气罩；本发明的改进在于：所述导气罩为上下锥筒结合件，所述上下锥筒的小端密封连接，并采用圆弧平滑连接；上部锥筒的大端孔径D1大于下部锥筒的大端孔径D3。本发明使用上下锥筒的导气罩，有助于提高固液界面附近的纵向温度梯度又使生长界面附近晶体部分的冷却速度不会过快，而且还能显著减少保护气体对生长界面的冲刷作用。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制造 装置 | ||
【主权项】：
一种单晶硅制造装置热场，它包括炉壁（7）、石英坩埚（3）、石墨坩埚（5）、石墨加热器（4）、石墨隔套（6）；所述石英坩埚（3）置于石墨坩埚（5）内，石墨加热器（4）设置在石墨坩埚（5）的周围；所述石墨隔套（6）套装在炉壁（7）内壁，将石墨加热器（4）包围在其内侧空间；从石英坩埚（3）内的熔硅（2）中拉出棒状单晶硅（1）；在石英坩埚（3）的上方设有锥形导气罩（8）；其特征在于：所述导气罩（8）为上下锥筒结合件，所述上下锥筒的小端密封连接，并采用圆弧平滑连接；上部锥筒的大端孔径D1大于下部锥筒的大端孔径D3。
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