[发明专利]Cu(In,Al)Se2薄膜的制备工艺无效
| 申请号： | 201110425469.6 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102515561A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 周丽梅;武素梅;薛钰芝 | 申请（专利权）人： | 大连交通大学 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 陈红燕 |
| 地址： | 116028 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Cu(In，Al)Se2薄膜的制备工艺，包括如下步骤：(1)靶材的准备；(2)室温Cu-In-Al交替溅射沉积，在此过程中，通过控制溅射气压、溅射距离、溅射功率、不同的溅射顺序控制CIA预制层中各元素的比例；(3)退火处理；(4)硒化处理：对退火后的预制层进行硒化处理，在Se气氛中硒化形成黄铜矿结构的Cu(In，Al)Se2多晶薄膜。本发明采用常温下溅射沉积得到CIA预制层；继而对其进行退火和硒化处理，获得黄铜矿结构的Cu(In，Al)Se2多晶薄膜，而且其在靶材的制备及磁控溅射设备的成本方面节约了成本，从而使Cu(In，Al)Se2薄膜的制备成本大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | cu in al se sub 薄膜 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种Cu(In，Al)Se2薄膜的制备工艺，包括如下步骤：(1)靶材的准备：分别准备纯Cu靶和InAl复合靶，所述InAl复合靶是通过在Al靶上镶嵌不同面积的In块得到的，In/Al＝5～20％；(2)室温Cu‑In‑Al交替溅射沉积：在室温下，采用直流磁控溅射方法将Cu、In、Al交替溅射沉积玻璃衬底上，形成CuInAl预制层；在此过程中，通过控制溅射气压、溅射距离、溅射功率、不同的溅射顺序控制CIA预制层中各元素的比例；其中，衬底与靶材之间的距离为50‑100mm；交替溅射的顺序为先Cu靶后InAl靶，如此重复溅射多次，总溅射时间不小于45min；本底真空度为1.5x10‑2～2.5x10‑2Pa；Cu靶溅射功率160～300W；InAl靶溅射功率170～400W；氮气或氩气的气压为2x10‑1‑5x10‑1Pa；(3)退火处理：所述CuInAl预制层置于硒化炉中在400～600℃进行真空退火；(4)硒化处理：对退火后的预制层进行硒化处理，在Se气氛中硒化形成黄铜矿结构的Cu(In，Al)Se2多晶薄膜。
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