[发明专利]一种高硅抛光片表面贵金属离子回收率测试方法

摘要

本发明涉及一种高硅抛光片表面贵金属离子回收率测试方法，通过采用新型萃取液对高硅抛光片表面贵金属离子萃取回收，提取贵金属，萃取液由低浓度的硝酸和盐酸配制而成，通过化学反应实现萃取液对贵金属元素的回收；采用新型萃取液，能够解决原有萃取液对于硅抛光片表面贵金属回收率低的问题，使铂Pt、银Ag、钯Pd和金Au的回收率达到了70%以上，提高硅抛光片表面贵金属测试的稳定性，从而满足对于硅抛光片表面贵金属离子的测试要求。

主权项

一种高硅抛光片表面贵金属离子回收率测试方法，其特征在于，通过采用新型萃取液对高硅抛光片表面贵金属离子萃取回收，提取贵金属，使铂Pt、银Ag、钯Pd和金Au的回收率大于70%，所述萃取液由低浓度的硝酸和盐酸配制而成，通过化学反应实现萃取液对贵金属元素的回收；其化学反应式为：Au + HNO3 + 4HCl = H[AuCl4] + NO↑+ 2H2O  3Pt + 4HNO3 + 18HCl = 3H2[PtCl6] + 4NO↑+ 8H2O Ag+HNO3+HCl=AgCl+NO2+H2O 2HNO3+12HCl+3Pd==2NO+3H2PdCl4+4H2O所述高硅抛光片表面贵金属离子回收率测试方法包括如下步骤：选择高纯化学品：硝酸：HNO3 日本多摩化学 68% 10ppt； 盐酸：HCl 日本多摩化学 20% 10ppt； 选择超纯水制备设备：型号Milli‑Q A10 with Qpod Element 水质：电阻率>18.2MΩ.cm  TOC<5ppb； 使用天平和取液枪配制最终浓度为硝酸1%和盐酸3%的萃取液，萃取液浓度偏差不应高于10%；使用全自动化学气相分解配合电感耦合等离子体质谱仪，设定化学气相分解时间为300s，扫描速度为10mm/s，扫描间距10mm，扫描区域边缘去除为0mm，萃取液体积为1000uL，进行测试及回收率分析；     根据上述方法测试5英寸、6英寸和8英寸硅抛光片表面贵金属的回收率可以达到：Au>78%，Pd>75%，Pt>85%，Ag>70%。