[发明专利]柔性PET基底ITO薄膜磁控溅射制备方法无效
| 申请号： | 201110412188.7 | 申请日： | 2011-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN102534530A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 唐武;殷学松;翁小龙;邓龙江;陈良 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 柔性PET基底ITO薄膜磁控溅射制备方法，涉及电子材料技术。本发明包括以下步骤：(1)衬底预处理：去除衬底表面的污垢；(2)溅射前的准备：将清洗好的衬底置于真空环境中；(3)预溅射：在氩气环境下进行预溅射；(4)溅射镀膜：完成预溅射后，对有机衬底进行低温溅射镀膜，在镀膜过程中，对基片进行冷却，每次溅射时间控制在30min内，然后间隔10min～25min后继续溅射，直到薄膜达到预定厚度。本发明技术制备出的ITO薄膜在可见光波段范围内具有良好透过率，电阻率小，且制备方法简单。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 pet 基底 ito 薄膜 磁控溅射 制备 方法 | ||
【主权项】：
柔性PET基底ITO薄膜磁控溅射制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)衬底预处理：去除衬底表面的污垢；(2)溅射前的准备：将清洗好的衬底置于真空环境中；(3)预溅射：在氩气环境下进行预溅射；(4)溅射镀膜：完成预溅射后，对有机衬底进行低温溅射镀膜，在镀膜过程中，对基片进行冷却，每次溅射时间控制在30分钟内，然后间隔10分钟～25分钟后继续溅射，直到薄膜达到预定厚度。
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