[发明专利]一种激光冲击高分子聚合物间接微成形方法及其专用装置无效

专利信息
申请号: 201110400540.5 申请日: 2011-12-06
公开(公告)号: CN102513431A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 王霄;杜道忠;沈宗宝;张虎;李品;胡杨;高阳阳;郭朝;刘辉;刘会霞 申请(专利权)人: 江苏大学
主分类号: B21D22/10 分类号: B21D22/10;B23K26/00;B23K26/04
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 楼高潮
地址: 212013 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种激光冲击高分子聚合物间接微成形方法及其专用装置,激光经成形系统中的光学介质照射在吸收层薄膜上,引起部分吸收层薄膜烧蚀产生高温高压等离子体,等离子体继续吸收激光能量使得等离子体膨胀爆炸,爆炸的等离子体向吸收层薄膜方向膨胀,在吸收层薄膜上产生GPa级的冲击压力,使得吸收层薄膜发生塑性形变;高分子聚合物在吸收层薄膜的冲击压力及高分子聚合物容腔的约束下向其下部的靶材工件方向变形,使靶材工件塑性变形,避免工件表面的烧蚀破坏或刻蚀现象,使工件在微模具中精确成形。
搜索关键词: 一种 激光 冲击 高分子 聚合物 间接 成形 方法 及其 专用 装置
【主权项】:
一种激光冲击高分子聚合物间接微成形方法,其特征是包括如下步骤:1)由计算机(11)控制纳秒激光器(8)发出脉冲激光,激光经由两反射镜和聚焦透镜后作用于成形系统(4),同时由计算机(11)控制三维移动平台(2)调整成形系统(4)的位置;2)激光经成形系统(4)中的光学介质(12)照射在吸收层薄膜(13)上,引起部分吸收层薄膜(13)烧蚀产生高温高压等离子体,等离子体继续吸收激光能量使得等离子体膨胀爆炸,爆炸的等离子体向吸收层薄膜(13)方向膨胀,在吸收层薄膜(13)上产生GPa级的冲击压力,使得吸收层薄膜(13)发生塑性形变;3)高分子聚合物(14)在吸收层薄膜(13)的冲击压力及高分子聚合物容腔(15)的约束下向其下部的靶材工件(16)方向变形,使靶材工件(16)塑性变形。
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