[发明专利]激光二极管器件无效
| 申请号： | 201110391356.9 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102545036A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 大木智之;渡边秀辉;幸田伦太郎;仓本大;横山弘之 | 申请（专利权）人： | 索尼公司;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴孟秋;梁韬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种激光二极管器件，所述激光二极管器件包括层压结构、第二电极和第一电极，在所述层压结构中，第一化合物半导体层、具有发光区和可饱和吸收区的第三化合物半导体层、以及第二化合物半导体层顺次层叠。所述层压结构具有脊条结构。所述第二电极被隔离槽分隔为第一部分和第二部分，所述第一部分用于经由所述发光区将直流电流施加至所述第一电极来获得正向偏压状态，所述第二部分用于将电场加至所述可饱和吸收区。当脊条结构的最小宽度是WMIN，并且在所述第二电极的第二部分和隔离槽之间的界面中的所述第二电极的第二部分的脊条结构的宽度是W2时，满足1＜W2/WMIN。 | ||
| 搜索关键词： | 激光二极管 器件 | ||
【主权项】：
一种激光二极管器件，包括：层压结构，其中，第一化合物半导体层、第三化合物半导体层和第二化合物半导体层顺次层叠，所述第一化合物半导体层具有第一导电型并且由GaN化合物半导体构成，所述第三化合物半导体层具有由GaN化合物半导体构成的发光区和可饱和吸收区，而所述第二化合物半导体层具有与所述第一导电型不同的第二导电型并且由GaN化合物半导体构成；第二电极，形成在所述第二化合物半导体层上；和第一电极，电连接至所述第一化合物半导体层，其中，所述层压结构具有脊条结构，所述第二电极被隔离槽分隔为第一部分和第二部分，所述第一部分用于通过经由所述发光区将直流电流施加至所述第一电极以获得正向偏压状态，所述第二部分用于将电场加至所述可饱和吸收区，并且满足1＜W2/WMIN，其中，所述脊条结构的最小宽度是WMIN，并且在所述第二电极的所述第二部分和所述隔离槽之间的界面中，所述第二电极的第二部分的脊条结构的宽度是W2。
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