[发明专利]独立、有序的氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201110388594.4 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102433579A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 罗建强;孙静;高濂;刘阳桥 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种独立、有序的氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法，包括：对钛基进行阳极氧化处理以在所述钛基上形成氧化钛纳米管阵列薄膜；对所得氧化钛纳米管阵列薄膜进行水浸泡处理；以及缓慢干燥处理挥发水分以使所述氧化钛纳米管阵列薄膜脱离所述钛基形成所述独立、有序的氧化钛纳米管阵列薄膜。本发明合成工艺简单易行、无污染、效率高、易工业化生产；制得的独立、有序的纳米管阵列薄膜完整，形状尺寸可控，可用于前照式方式的染料敏化太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 独立 有序 氧化 纳米 阵列 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种独立、有序的氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法，其特征在于，包括：对钛基进行阳极氧化处理以在所述钛基上形成氧化钛纳米管阵列薄膜；对所得氧化钛纳米管阵列薄膜进行水浸泡处理；以及缓慢干燥处理挥发水分以使所述氧化钛纳米管阵列薄膜脱离所述钛基形成所述独立、有序的氧化钛纳米管阵列薄膜。
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