[发明专利]CMOS低噪声放大电路无效
| 申请号： | 201110386665.7 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102457233A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 舒应超;赵吉祥 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/45 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS低噪声放大电路，旨在提供一种可以降低栅漏寄生电容影响的CMOS低噪声放大电路。它包括差分放大结构输入匹配结构和输出匹配结构，输入匹配结构和输出匹配结构分别连接差分放大结构的输入端和输出端，还包括负电容补偿结构，负电容补偿结构与差分放大结构连接。差分放大结构提供输入信号的放大，是电路的主结构；负电容补偿结构用于对共源管的栅漏寄生电容进行补偿，输入匹配结构和输出匹配结构保证电路具有良好的输入输出匹配。本发明适用于所有的射频微波电路输入端。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 噪声 放大 电路 | ||
【主权项】：
一种CMOS低噪声放大电路，包括差分放大结构输入匹配结构和输出匹配结构，所述输入匹配结构和输出匹配结构分别连接差分放大结构的输入端和输出端，其特征在于，还包括负电容补偿结构，所述负电容补偿结构与所述差分放大结构连接。
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