[发明专利]一种在单晶硅表面接枝聚合物的方法有效
申请号: | 201110383860.4 | 申请日: | 2011-11-28 |
公开(公告)号: | CN102417568A | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 翟光群 | 申请(专利权)人: | 常州大学;常州一品堂化学有限公司 |
主分类号: | C08F292/00 | 分类号: | C08F292/00;C08F220/28;C08F220/56;C08F220/54;C08F220/06;C08F220/58;C08F4/40 |
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地址: | 213164 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种在单晶硅表面接枝聚合物的方法,属于无机材料表面改性技术领域。按照以下步骤进行:将用硅烷偶联剂处理过的单晶硅片投入到含有少量CuSO4的单体水溶液中,在80℃下反应3~4h,即得到表面固定有聚合物链的单晶硅片样品。本发明操作工艺简易,接枝效果明显,所使用原料皆为市售品,不需经过复杂的提纯过程即可使用,且价格低廉,容易获得;采用水为反应介质,避免了后期复杂的溶剂回收过程,降低成本,对环境的污染相对较小;相比现已公开的技术,有着明显优势。接枝后的单晶硅片可应用于光伏、光电、半导体行业中。 | ||
搜索关键词: | 一种 单晶硅 表面 接枝 聚合物 方法 | ||
【主权项】:
一种在单晶硅表面接枝聚合物的方法,其特征在于按照下述步骤进行:(1)单晶硅表面处理:将单晶硅片置于硅烷偶联剂KH‑550的聚丙烯酰胺水溶液中,浸泡0.5h后取出,放置于80℃烘箱中干燥,待表面水分完全除尽后,将烘箱温度升至130℃,放置0.5h后取出,冷却至室温后,浸泡于水中,待残余PAAm除去后备用;(2)反应溶液的配制:将CuSO4及水溶性单体与水混合摇匀,待其完全溶解后,制得反应溶液,其中CuSO4在反应体系中的浓度约为0.20%~3.0%,而水溶性单体在反应体系中的浓度为4.0%~40%;(3)单晶硅表面接枝聚合:将步骤(1)中制得的单晶硅置于步骤(2)中制得的反应溶液中,在封闭的反应容器中加热至80℃,反应3~4h,即可制得表面接枝的单晶硅样品。
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