[发明专利]含氟双二苯乙炔类液晶化合物及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110383773.9 申请日: 2011-11-28
公开(公告)号: CN102603568A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 杨槐;王冬;张永明;苗宗成;张辰楠;金召奎 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C07C255/50 分类号: C07C255/50;C07C253/30;C07C25/24;C07C17/269;C07C331/28;C09K19/18
代理公司: 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 代理人: 刘淑芬
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于液晶化合物合成技术领域,涉及含氟双二苯乙炔类液晶化合物及其制备方法。该化合物结构如下所示:其中n为1-4的整数,R1为供电子基团,R2为吸电子基团。该类化合物主要经Sonogashira偶联反应和去三甲基硅反应得到。本发明制备的一类含氟双二苯乙炔液晶化合物具有大的π-电子共轭体系,分子端基具有吸电子基团和供电子基团,且分子无对称性。本发明制备的含氟双二苯乙炔类液晶化合物具有大双折射率,且分子两端基团的特点,将在非线性光学、3D图像显示、空间光调制器及光学设备上有很大的应用前景。
搜索关键词: 含氟双二苯 乙炔 液晶 化合物 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种含氟双二苯乙炔类液晶化合物,其特征在于,该化合物具有如下分子式:其中,式中n=1-4的整数; R1为烷基碳数1-10的烷基苯乙炔、烷氧基苯乙炔、烷基、烷氧基、烷基苯或烷氧基苯;R2为氟基、三氟甲基、氰基、硫腈基、氟苯、三氟甲基苯、氰基苯或硝基苯;R3为氢或氟基;R4为氢或氟基;。
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