[发明专利]一种阵列天线方向图的频域测量方法无效
| 申请号: | 201110364110.2 | 申请日: | 2011-11-16 |
| 公开(公告)号: | CN102445599A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
| 发明(设计)人: | 赵德双;徐艳清;臧锐;王秉中 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | G01R23/16 | 分类号: | G01R23/16 |
| 代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 葛启函 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: |
一种阵列天线方向图的频域测量方法,属于天线技术领域。本发明首先对阵列天线单元方向图测量,利用均匀平面波照从不同角度(θ,φ)照射阵列,利用矢量网络分析仪获取阵列各个阵列单元在平面波照射下的频域响应 |
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| 搜索关键词: | 一种 阵列 天线方向图 测量方法 | ||
【主权项】:
1.一种阵列天线方向图的频域测量方法,包括以下步骤:步骤1:在微波暗室环境中,利用矢量网络分析仪产生频域信号,该频域信号经照射天线向金属反射面发射并由金属反射面反射形成紧缩场平面波,利用该紧缩场平面波照射待测阵列天线;步骤2:利用矢量网络分析仪,测量在紧缩场平面波到待测阵列天线的初始入射角度(θ0,φ0)下,待测阵列天线各个阵列单元的散射系数值S21,记为
其中n=1,2,3,....N,N为待测阵列天线的阵列单元总数;步骤3:改变紧缩场平面波到待测阵列天线的入射角度,记录紧缩场平面波到待测阵列天线的入射角(θi,φj),结合步骤2测量每个入射角下待测阵列天线各个阵列单元的散射系数值S21,记为
步骤4:由于每个入射角下待测阵列天线各个阵列单元的散射系数值
就是待测阵列天线第n个阵列单元的在入射角下(θi,φj)的频率响应
即
所以由待测阵列天线第n个阵列单元的频率响应
得到待测阵列天线第n个阵列单元的方向图
步骤5:利用公式:
合成任意给定激励下的待测阵列天线的方向图
其中
为待测阵列天线设计时给定的第n个阵列单元的激励加权值,且
其中|an|为幅度加权值,
为相位加权值。
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