[发明专利]用于PET应用中的单独闪烁体读出的高密度比例模式APD阵列有效
| 申请号： | 201110354516.2 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102565836A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张南;R.格拉齐奥索;D.亨泽勒;M.J.施曼德 | 申请（专利权）人： | 西门子公司;美国西门子医疗解决公司 |
| 主分类号： | G01T1/161 | 分类号： | G01T1/161;G01T1/164 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;卢江 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于PET应用中的单独闪烁体读出的高密度比例模式APD阵列。本发明是包括改进的光电传感器的光电检测器，该改进的光电传感器由用于读出单个闪烁体的小型（亚毫米）高密度雪崩光电二极管单元的阵列配置。每个光电传感器包括以雪崩光电二极管单元的（n×n）阵列（其中n>1）布置的耦合到单个闪烁晶体的多个雪崩光电二极管单元。作为光电传感器的总体（n×n）阵列面积与闪烁体的面的面积相同且每个雪崩光电二极管单元具有不大于一平方毫米的表面积。光电传感器还被配置成有利于读取阵列中的每个雪崩光电二极管单元的输出。通过独立地读出每个小型雪崩光电二极管单元，噪声和电容被最小化并从而提供了能量和定时的更精确确定。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 pet 应用 中的 单独 闪烁 读出 高密度 比例 模式 apd 阵列 | ||
【主权项】：
一种光电检测器，包括：至少一个闪烁体和与所述至少一个闪烁体接近定位的至少一个光电传感器，其中，所述至少一个光电传感器具有基本上等于所述至少一个闪烁体的面的表面积的表面积，其中，所述光电传感器包括以n×n阵列布置的多个雪崩光电二极管单元，其中n>1，并且其中，每个雪崩光电二极管单元具有不大于一平方毫米的表面积和用于定位于其上的雪崩光电二极管的单独输出端，其中，所述至少一个光电传感器被配置成有利于读取所述单元上的所述雪崩光电二极管的输出。
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