[发明专利]多功能集成的纳米线阵列制备方法有效
| 申请号： | 201110347856.2 | 申请日： | 2011-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN102358615A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 程国胜;孔涛;苏瑞巩;张琦;黄荣;刘永萍;张杰;卫芬芬 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多功能集成的纳米线阵列制备方法。该方法为：首先在纳米线阵列表面覆盖一层有机高分子溶液，真空环境下静置使有机高分子均匀渗透入纳米线之间，继而利用匀胶的方法得到平整的表面；然后使用干法去胶工艺处理表面，暴露部分纳米线阵列并对这一部分纳米线进行表面修饰；继而利用有机溶剂去除剩余有机高分子并对因此暴露出的纳米线部分做进一步修饰。本发明能够在单根纳米线表面可控、可重复且一致地集成多种功能，如发光、磁性、生物标记等，制备工艺简单，对不同类型的纳米线阵列具有普适性，适用于基因药物载体、生物/化学传感以及复合材料等新材料领域。 | ||
| 搜索关键词： | 多功能 集成 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多功能集成的纳米线阵列制备方法，其特征在于，该方法为：利用有机高分子溶液覆盖纳米线阵列，并在真空环境下静置使有机高分子溶液均匀填充各纳米线之间的间隙，形成一整体结构；其后，去除该整体结构局部表面上的有机高分子材料，使纳米线阵列上的至少一选定区域暴露在外，再在该至少一选定区域中的各纳米线表面修饰至少一种功能性材料；而后，以有机溶剂去除该整体结构的其它局部表面的有机高分子材料，使纳米线阵列上的至少另一选定区域暴露在外，再在该至少另一选定区域中的各纳米线表面修饰至少另一种功能性材料，从而获得目标产物。
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