[发明专利]一种高温超导涂层导体的结构无效
申请号: | 201110341295.5 | 申请日: | 2011-11-02 |
公开(公告)号: | CN102412015A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 张欣;程翠华;赵勇;张勇;王文涛;雷鸣 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
主分类号: | H01B12/06 | 分类号: | H01B12/06 |
代理公司: | 成都信博专利代理有限责任公司 51200 | 代理人: | 张澎 |
地址: | 610031 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种高温超导涂层导体的结构,包括有NiW合金基带,NiO和SmBiO3构成的符合缓冲层以及YBCO超导层。本发明的结构SmBiO3缓冲层为西南交通大学自己开发的具有潜在重大应用价值的REBiO3系列缓冲层材料的进一步实用化进步之一,本发明的高温超导涂层导体结构,其NiO缓冲层可采用成本低,工艺简单,易得良好品质的自氧化外延制备的方法制备;在NiO缓冲层上生长SmBiO3缓冲层的制备中可采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备,具有成本低廉,适合大规模沉积等优点。另一方面Ni基合金/NiO/SmBiO3/YBCO为打破国外其他涂层导体结构的工艺制备的保护与封锁起到重要的积极作用,并为我国的第二代高温超导涂层导体的研究与应用化进程起到积极的推动作用。 | ||
搜索关键词: | 一种 高温 超导 涂层 导体 结构 | ||
【主权项】:
一种高温超导涂层导体的结构,其特征在于:包括有NiW合金基带,NiO缓冲层,SmBiO3缓冲层以及YBCO超导层。
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