[发明专利]声波器件有效
| 申请号： | 201110339535.8 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102468818B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 西原时弘;谷口真司;横山刚;坂下武 | 申请（专利权）人： | 太阳诱电株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25;H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,张旭东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种声波器件，该声波器件包括第一压电薄膜谐振器，其包括第一下电极、第一上电极和夹在第一下电极和第一上电极之间的第一压电膜；去耦合器膜，其设置在第一上电极上；以及第二压电薄膜谐振器，其设置在去耦合器膜上，并包括第二下电极、第二上电极和夹在第二下电极和第二上电极之间的第二压电膜，其中第一压电膜和第二压电膜包括氮化铝，并包括增大氮化铝的压电常数的元素。 | ||
| 搜索关键词： | 声波 器件 | ||
【主权项】：
一种声波器件，该声波器件包括：第一压电薄膜谐振器，该第一压电薄膜谐振器包括第一下电极、第一上电极和夹在第一下电极和第一上电极之间的第一压电膜，并且形成在基底上；去耦合器膜，该去耦合器膜设置在第一上电极上；以及第二压电薄膜谐振器，该第二压电薄膜谐振器设置在所述去耦合器膜上，并包括第二下电极、第二上电极和夹在第二下电极和第二上电极之间的第二压电膜，其中，第一压电膜和第二压电膜包括氮化铝，并包括增大氮化铝的压电常数的元素，其中，包括在所述第一压电膜中的所述元素的量小于包括在所述第二压电膜中的所述元素的量，所述第一压电膜和所述第二压电膜均为溅射膜，其中，所述去耦合器膜是单层膜，具有高于或等于5M瑞利的声阻抗。
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