[发明专利]一种硅藻在PDMS表面的图案化键合加工方法无效

专利信息
申请号: 201110326629.1 申请日: 2011-10-25
公开(公告)号: CN102502477A 公开(公告)日: 2012-06-20
发明(设计)人: 蔡军;王瑜;张德远;潘骏峰;李奥博 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 代理人: 王顺荣;唐爱华
地址: 100191 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种硅藻在PDMS表面的图案化键合加工方法,其步骤有:1.硅藻的预处理制得硅藻混浊液;2.PDMS基片的预处理:按设基片设计尺寸截取PDMS基片,使用正己烷、丙酮、无水乙醇超声清洗后烘干贴附在玻璃片上制得加固PDMS基片;3.在加固PDMS基片表面制作光刻图案:对基片进行旋涂光刻胶、前烘、图案掩膜曝光、后烘处理;4.硅藻图案化与定位:在基片上滴加硅藻混浊液后,通过紫外照射、静置、去胶制得硅藻图案化PDMS基片。制得的图案化PDMS基片表面拥有硅藻的图案化阵列,并且保持了硅藻原有的丰富外形、以及纳米级多孔微结构,使得该复合微流体基片在保证高通量的前提下,能够在生物检测、微流体系统等领域发挥自动装载检测探针、吸附富集靶分子、过滤等作用。
搜索关键词: 一种 硅藻 pdms 表面 图案 化键合 加工 方法
【主权项】:
一种硅藻在PDMS表面的图案化键合加工方法,其特征在于:它包括有下列步骤:步骤一:硅藻的预处理将硅藻加入去离子水中搅拌均匀得到硅藻混浊液;用量:在1克的硅藻中加入15毫升~20毫升的去离子水;步骤二:PDMS(聚二甲基硅氧烷)基片的预处理(A)按所需尺寸截取PDMS基片,并用去离子水冲洗后放入玻璃容器中;(B)向玻璃容器中加入50毫升~100毫升的正己烷,然后置于超声清洗机中,在功率700瓦~1000瓦、工作频率28KHz~40KHz的条件下超声清洗10分钟~20分钟得到第一预处理PDMS基片;(C)将第一预处理基片取出,去离子水冲洗10秒,放入另一玻璃容器中,向玻璃容器中加入50毫升~100毫升的丙酮;然后将玻璃容器置于超声清洗机中,在功率700瓦~1000瓦、工作频率28KHz~40KHz的条件下超声清洗10分钟~20分钟得到第二预处理PDMS基片;(D)将第二预处理PDMS基片取出,去离子水冲洗10秒,放入另一玻璃容器中,加入质量浓度为95%的无水乙醇,然后置于超声清洗机中,在功率700瓦~1000瓦、工作频率28KHz~40KHz的条件下超声清洗10分钟~20分钟后,得到第三预处理PDMS基片;(E)用玻璃刀裁取与第三预处理PDMS基片尺寸相同或略大的矩形玻璃片,将第三预处理PDMS基片从无水乙醇溶液中取出,完全蒸发干燥后平铺在矩形玻璃片表面,得到加固PDMS基片;步骤三:在加固PDMS基片表面制作光刻图案(A)将经步骤二处理得到的加固PDMS基片安装在匀胶机上;在第一转速为500转/分钟~800转/分钟的条件下,滴加入0.5毫升~2毫升的光刻胶正胶;在第二转速为1500转/分钟~2500转/分钟的条件下,匀胶10秒~20秒后,得到第一复合基片;(B)将第一复合基片安装在热烘板上,调节热烘板温度至95℃~110℃,并在此温 度下进行前烘处理1分钟~2分钟,得到第二复合基片;(C)将第二复合基片安装在光刻机中,并在第二复合基片上安装具有阵列化图形的掩模;将第二复合基片在紫外线中曝光10秒~20秒后,得到第三复合基片;(D)将第三复合基片置于质量百分比浓度为40%~60%的显影液中浸泡10秒~20秒后取出,然后用去离子水中浸泡7秒~15秒定影后,得到第四复合基片;(E)将第四复合基片安装在热烘板上,调节热烘板温度至110℃~130℃,并在此温度下进行后烘处理1分钟~3分钟后取出;(F)在20℃~35℃温度下冷却10分钟~15分钟后得到第五复合基片;步骤四:硅藻图案化与定位(A)在第五复合基片表面均匀滴加硅藻混浊液,并安装在热烘板上,调节热烘板温度至95℃~120℃,并在此温度下进行加热处理2分钟~4分钟,得到第六复合基片;用量:1平方厘米的第五复合基片上滴加50微升~100微升的硅藻混浊液;(B)将第六复合基片在20℃~35℃温度下冷却7分钟~10分钟后,安装在紫外固化机托盘上,在4支6瓦并排紫外光灯管4厘米距离紫外曝光2~3小时后,得到第六复合基片;(C)将第六复合基片在20℃~35℃温度无尘环境中放置48~72小时后,得到第七复合基片;(D)将第七复合基片置于光刻胶去胶液中浸泡1分钟~3分钟后取出,去离子水冲洗10秒,得到硅藻图案化PDMS基片。
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