[发明专利]一种电导法量测界面态密度的改进方法无效
| 申请号： | 201110322332.8 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102540040A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 曹永峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电导法量测界面态密度的改进方法，具体包括：将待测MOS电容结构偏置在积累区，在积累区条件下，使用Cp-G模型测量固定偏压下，扫描预设频率情况下的值，计算可得各个频率下的串联电阻的对应值；利用在积累区得到的随测试频率变化的串联电阻模型，得到在反型区下的精确模型，从而得到更准确的界面态测试结果。本发明对待测器件的串联电阻进行模型化处理，消除其在电导法量测界面态时对于有效信号的干扰；通过一定的方法，得到随量测频率变化的串联电阻模型，精确模拟电导法量测过程中的实际情况；提高电导法量测界面态的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电导 法量测 界面 密度 改进 方法 | ||
【主权项】：
一种电导法量测界面态密度的改进方法，其特征在于，包括下列步骤：将待测MOS电容结构偏置在积累区，在积累区条件下，使用Cp‑G模型测量固定偏压下，扫描预设频率情况下的值，计算可得各个频率下的串联电阻的对应值；利用在积累区得到的随测试频率变化的串联电阻模型，得到在反型区下的精确模型，从而得到更准确的界面态测试结果。
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