[发明专利]磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置有效
| 申请号： | 201110320471.7 | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102456358A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 山根明;坂胁彰;福岛正人 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;G11B5/55 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种不使磁性层的表面氧化或卤化，并且，表面不被粉尘污染、制造工序不复杂的形成有磁分离的磁记录图案的磁记录介质的制造方法。所述具有磁分离的磁记录图案的磁记录介质的制造方法，其特征在于，依次具有：在非磁性基板(1)上形成磁性层(2)的工序；在磁性层(2)上形成用于形成磁记录图案的由碳构成的掩模层(3)的工序；对磁性层(2)的未被掩模层(3)覆盖的部位(7)照射含有氢化碳离子的离子束(10)，在磁性层(2)上形成作为非磁性体的碳化钴的工序；和除去掩模层(3)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 制造 方法 再生 装置 | ||
【主权项】：
一种磁记录介质的制造方法，是具有磁分离的磁记录图案的磁记录介质的制造方法，其特征在于，依次具有：在非磁性基板上形成磁性层的工序；在所述磁性层之上形成用于形成磁记录图案的由碳构成的掩模层的工序；对所述磁性层的未被所述掩模层覆盖的部位照射含有氢化碳离子的离子束，在所述磁性层上形成作为非磁性体的碳化钴的工序；和除去所述掩模层的工序。
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