[发明专利]超宽带低噪声放大器在审
| 申请号： | 201110319801.0 | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN103066924A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 施金伟 | 申请（专利权）人： | 苏州微体电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215002 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超宽带低噪声放大器，由匹配级、放大级、负载级依次连接组成，其中放大级由四个MOS管和两个反馈电路组成，放大级为四端口网络，两个输入端，两个输出端；其中，第一输入端连接第一MOS管的栅极，第一输出端接第二MOS管的漏极，第一MOS管的栅极与第二MOS管的漏极之间连接第一反馈电路；第二输入端接第三MOS管的栅极，第二输出端接第四MOS管的漏极，第三MOS管的栅极与第四MOS管的漏极之间连接第二反馈电路；两个共源MOS管即第一MOS管、第三MOS管的漏端分别接两个共栅MOS管即第二MOS管、第四MOS管的源端。本发明结构简单、能耗低，能满足超宽带通信系统在全频段内的功能要求。 | ||
| 搜索关键词： | 宽带 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
一种超宽带低噪声放大器，由匹配级(1)、放大级(2)、负载级(3)依次连接组成，其特征在于所述放大级(2)由四个MOS管和两个反馈电路组成，放大级(2)为四端口网络，两个输入端，两个输出端；其中，第一输入端(Vim)连接第一MOS管(M1)的栅极，第一输出端(Vom)接第二MOS管(M2)的漏极，第一MOS管(M1)的栅极与第二MOS管(M2)的漏极之间连接第一反馈电路；第二输入端(Vip)接第三MOS管(M3)的栅极，第二输出端(Vop)接第四MOS管(M4)的漏极，第三MOS管(M3)的栅极与第四MOS管(M4)的漏极之间连接第二反馈电路；两个共源MOS管即第一MOS管(M1)、第三MOS管(M3)的漏端分别接两个共栅MOS管即第二MOS管(M2)、第四MOS管(M4)的源端。
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